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SCTWA70N120G2V-4

Name: STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTWA70N120G2V-4
Price: 27.75 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-SCTWA70N120G2V-4

Fabr. N.º:

SCTWA70N120G2V-4

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package

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MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	HIP247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	91 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	30 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.45 V
Qg (carga de compuertas):	150 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 200 C
Pd (disipación de potencia):	547 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	18 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	9 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	36 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15.5 ns