Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

SCTH60N120G2-7

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

511-SCTH60N120G2-7

Fabr. N.º:

SCTH60N120G2-7

Fabr.:

STMicroelectronics

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Alerta de envío:

Actualmente Mouser no vende este producto en su región.

Existencias:: Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
Restricciones de envío:	Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	H2PAK-7
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	60 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	52 mOhms
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	94 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	390 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	14 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	15 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	32 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	16 ns