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GP3T016A120H

Name: SemiQ GP3T016A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3T016A120H
Price: 11.04 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

148-GP3T016A120H

Fabr. N.º:

GP3T016A120H

Fabr.:

SemiQ

Descripción:

MOSFET de SiC Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

GP3T016A120H Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	6,30 €	756,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4L
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	350 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	23 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 4.5 V, + 18 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	260 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	484 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	20 ns
Transconductancia delantera: mín.:	29 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	25 ns
Serie:	GP3T
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	SiC MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	65 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	21 ns

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

GP3T016A120H Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Dispositivos discretos MOSFET SiC GEN3 de 1200 V

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.