Todos los resultados (137)

Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
EPC FET de GaN EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 2.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC Controladores láser IC LASER DRVR 40V 10A 3.3VLOGIC 2.251En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0 7.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 4.960En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,40 V, 110 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 2.294En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 2.480En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 3.988En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 100 V, 40 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2302 7En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 12.434En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 100V/3A
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 80V/10A No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 40
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 350V/4A No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 40
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 80V/40A No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 40
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 100V/25A No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 40
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 200V/8A No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 40
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 40V/25A No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 40
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 100V/45A No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 40
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 80V/25A No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 40
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 100V/5A No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 40
Múlt.: 1