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XPH1R104PS,L1XHQ

Name: Toshiba XPH1R104PS,L1XHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-XPH1R104PSL1XHQ
Price: 1.84 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-XPH1R104PSL1XHQ

Fabr. N.º:

XPH1R104PS,L1XHQ

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 1.1 mohm

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

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	1,84 €	1,84 €
	1,18 €	11,80 €
	0,797 €	79,70 €
	0,635 €	317,50 €
	0,594 €	594,00 €
	0,588 €	1.470,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,566 €	2.830,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOP-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	120 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.96 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	55 nC
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	132 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Toshiba
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	23 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	71 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	22 ns

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Application Notes

Automotive Discrete Semiconductor MBD Introductory

Models

Product Catalogs

Selection Guide 2024 - MOSFETs

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UMOS9-H Silicon N-channel MOSFETs

Toshiba UMOS9-H Silicon N-channel MOSFETs are ideal for high-efficiency DC-to-DC converters, switching voltage regulators, and motor drivers. These MOSFETs boast a small gate charge, a small output charge, low drain-source on-resistance, and low leakage current. The UMOS9-H N-channel MOSFETs feature 80V drain-source voltage, ±20V gate-source voltage, and 175°C channel temperature. These MOSFETs also feature ±0.1µA gate leakage current, 10µA drain cut-off current, and a -55°C to 175°C storage temperature range. The UMOS9-H N-channel MOSFETs are RoHS-compliant and come in a 0.108g 2-5W1A (SOP Advance (N)) package.