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WNSC5D046506Q

Name: WeEn Semiconductors WNSC5D046506Q
Brand: WeEn Semiconductors
SKU: 771-WNSC5D046506Q
Price: 0.3 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

771-WNSC5D046506Q

Fabr. N.º:

WNSC5D046506Q

Fabr.:

WeEn Semiconductors

Descripción:

Diodos Schottky de SiC WNSC5D04650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Hoja de datos:

WNSC5D046506Q Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	0,308 €	924,00 €
	0,293 €	1.465,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	WeEn Semiconductors
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-2L
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	4 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión delantera:	1.45 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	28 A
Ir - Corriente inversa:	20 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	WeEn Semiconductors
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V
Alias de parte #:	934072962127

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Hoja de datos

WNSC5D046506Q Hoja de datos (PDF)

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TARIC:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

WNS Silicon Carbide Schottky Diodes

WeEn Semiconductors WNS Silicon Carbide Schottky Diodes are designed for high-frequency switched-mode power supplies. These diodes feature highly stable switching performance, extremely fast reverse recovery time, superior efficiency to silicon diode alternatives, and reduced losses in associated MOSFET. The WNS Schottky diodes offer up to 1200V of repetitive peak reverse voltage and a -55°C to 175°C storage temperature range. Typical applications include power factor correction, telecom/server SMPS, UPS, PV inverter, PC Silverbox, LED/OLED tv, and motor drives.