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VS-4C30ET07S2L-M3

Name: Vishay VS-4C30ET07S2L-M3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C30ET07S2L-M3
Price: 6.47 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-VS-4C30ET07S2L-M3

Fabr. N.º:

VS-4C30ET07S2L-M3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

VS-4C30ET07S2L-M3 Hoja de datos (PDF)

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	6,47 €	6,47 €
	4,24 €	42,40 €
	3,12 €	312,00 €
	2,78 €	1.390,00 €
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	2,46 €	1.968,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-263AB-2
Configuración:	SIngle
If - Corriente delantera:	30 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión delantera:	1.33 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	180 A
Ir - Corriente inversa:	125 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	VS-4C30ET07S2L-M3
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay Semiconductors
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Pd (disipación de potencia):	167 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V

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Hoja de datos

VS-4C30ET07S2L-M3 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.