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VS-4C20ET07THM3

Name: Vishay VS-4C20ET07THM3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C20ET07THM3
Price: 5.82 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-VS-4C20ET07THM3

Fabr. N.º:

VS-4C20ET07THM3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

VS-4C20ET07THM3 Hoja de datos (PDF)

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	5,82 €	5,82 €
	3,82 €	38,20 €
	2,81 €	281,00 €
	2,60 €	1.300,00 €
	2,21 €	2.210,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220AC-2
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	20 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión delantera:	1.33 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	125 A
Ir - Corriente inversa:	110 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	VS-4C20ET07THM3
Empaquetado:	Tube
Marca:	Vishay Semiconductors
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Pd (disipación de potencia):	125 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V

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Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.