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UF3C065080B3

Name: onsemi UF3C065080B3
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3C065080B3
Price: 9.22 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

431-UF3C065080B3

Fabr. N.º:

UF3C065080B3

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263

Ciclo de vida:

NRND:

No se recomienda para nuevos diseños.

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	9,22 €	9,22 €
	6,37 €	63,70 €
	5,31 €	531,00 €
	5,20 €	2.600,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
	4,95 €	3.960,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	25 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	100 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	51 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	115 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	SiC FET
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	12 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	13 ns
Serie:	UF3C
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	50 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	25 ns
Peso unitario:	2,163 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

UF3C SiC FETs in D2-PAK Package

onsemi UF3C SiC FETs in D2-PAK-3L and D2-PAK-7L surface-mount packages are based on a unique cascode circuit configuration and feature excellent reverse recovery. In the cascode circuit configuration, a normally-on SiC JFET is co-packaged with a Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. These onsemi SiC FETs offer low body diode, low gate charge, and a 4.8V threshold voltage that allows 0V to 15V drive. These D2-PAK SiC FET devices are ESD protected and provide package creepage and clearance distance of >6.1mm. The standard gate-drive characteristics of the FETs are drop-in replacements for Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si superjunction. They are available in 1200V and 650V drain-source breakdown voltage variants and are ideal for use in any controlled environment such as telecom and server power, industrial power supplies, motor drives, and induction heating.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.