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TPH3R008QM,LQ

Name: Toshiba TPH3R008QM,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH3R008QMLQ
Price: 1.84 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

757-TPH3R008QMLQ

Fabr. N.º:

TPH3R008QM,LQ

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 3mohm

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

TPH3R008QM,LQ Hoja de datos (PDF)

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	1,84 €	1,84 €
	1,17 €	11,70 €
	0,796 €	79,60 €
	0,634 €	317,00 €
	0,593 €	593,00 €
	0,574 €	1.435,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,566 €	2.830,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOP-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	170 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	71 nC
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	180 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	26 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	21 ns
Serie:	UMOS9-H
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	85 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	42 ns

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TPH3R008QM,LQ Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UMOS9-H Silicon N-channel MOSFETs

Toshiba UMOS9-H Silicon N-channel MOSFETs are ideal for high-efficiency DC-to-DC converters, switching voltage regulators, and motor drivers. These MOSFETs boast a small gate charge, a small output charge, low drain-source on-resistance, and low leakage current. The UMOS9-H N-channel MOSFETs feature 80V drain-source voltage, ±20V gate-source voltage, and 175°C channel temperature. These MOSFETs also feature ±0.1µA gate leakage current, 10µA drain cut-off current, and a -55°C to 175°C storage temperature range. The UMOS9-H N-channel MOSFETs are RoHS-compliant and come in a 0.108g 2-5W1A (SOP Advance (N)) package.