Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

T2G6003028-FS

Name: Qorvo T2G6003028-FS
Brand: Qorvo
SKU: 772-T2G6003028-FS
Price: 855.58 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

772-T2G6003028-FS

Fabr. N.º:

T2G6003028-FS

Fabr.:

Qorvo

Descripción:

FET de GaN DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless

Hoja de datos:

T2G6003028-FS Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Qorvo T2G6003028-FS

En existencias: 15

Existencias:: 15 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Las cantidades mayores que 15 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	855,58 €	855,58 €
	830,67 €	8.306,70 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Empaquetado / Estuche:	NI-200
Marca:	Qorvo
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Frecuencia operativa máxima:	6 GHz
Frecuencia operativa mínima:	0 Hz
Sensibles a la humedad:	Yes
Energía de salida:	30 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	T2G6003028
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT
Alias de parte #:	T2G6003028 1100021
Peso unitario:	17,129 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

T2G6003028-FS Hoja de datos (PDF)

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

T2G GaN HEMT Transistors

Qorvo T2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.