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T2G6001528-Q3

Name: Qorvo T2G6001528-Q3
Brand: Qorvo
SKU: 772-T2G6001528-Q3
Price: 192.55 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

772-T2G6001528-Q3

Fabr. N.º:

T2G6001528-Q3

Fabr.:

Qorvo

Descripción:

FET de GaN DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN

Hoja de datos:

T2G6001528-Q3 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	192,55 €	192,55 €
	178,60 €	1.786,00 €
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100	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Empaquetado / Estuche:	NI-200
Marca:	Qorvo
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Frecuencia operativa máxima:	6 GHz
Frecuencia operativa mínima:	0 Hz
Sensibles a la humedad:	Yes
Energía de salida:	15 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	T2G6001528
Cantidad del paquete de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT
Alias de parte #:	T2G6001528 1100001
Peso unitario:	6,736 g

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PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

T2G GaN HEMT Transistors

Qorvo T2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.