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T2G6000528-Q3 28V

Name: Qorvo T2G6000528-Q3 28V
Brand: Qorvo
SKU: 772-T2G6000528-Q328V
Price: 73.69 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

772-T2G6000528-Q328V

Fabr. N.º:

T2G6000528-Q3 28V

Fabr.:

Qorvo

Descripción:

FET de GaN DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN

Hoja de datos:

T2G6000528-Q3 28V Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	73,69 €	7.369,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Marca:	Qorvo
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Frecuencia operativa máxima:	6 GHz
Frecuencia operativa mínima:	0 Hz
Sensibles a la humedad:	Yes
Energía de salida:	7 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	T2G6000528
Cantidad del paquete de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT
Alias de parte #:	1099997
Peso unitario:	4,382 g

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Hoja de datos

T2G6000528-Q3 28V Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

T2G GaN HEMT Transistors

Qorvo T2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.