Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

STHU65N050DM9AG

Name: STMicroelectronics STHU65N050DM9AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STHU65N050DM9AG
Price: 8.15 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

511-STHU65N050DM9AG

Fabr. N.º:

STHU65N050DM9AG

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

Complete su diseño

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

STHU65N050DM9AG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre STMicroelectronics STHU65N050DM9AG

En existencias: 91

Existencias:: 91

Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Pedido:: 600
Plazo de producción de fábrica:: 26

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	8,15 €	8,15 €
	5,60 €	56,00 €
	4,52 €	452,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 600)
	4,21 €	2.526,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HU3PAK-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	51 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	50 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	100 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	245 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	7 ns
Serie:	MDmesh M9
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	80 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	29 ns
Peso unitario:	2,320 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

STHU65N050DM9AG Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.