Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

STF80N1K1K6

Name: STMicroelectronics STF80N1K1K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF80N1K1K6
Price: 2.07 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

511-STF80N1K1K6

Fabr. N.º:

STF80N1K1K6

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

Complete su diseño

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

STF80N1K1K6 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre STMicroelectronics STF80N1K1K6

En existencias: 1.003

Existencias:: 1.003

Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Pedido:: 1.000
Plazo de producción de fábrica:: 15

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,07 €	2,07 €
	1,01 €	10,10 €
	0,903 €	90,30 €
	0,726 €	363,00 €
	0,666 €	666,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220FP-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	800 V
Id: corriente de drenaje continuo:	5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.1 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	5.7 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	21 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	14 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	4.3 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	22 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7.4 ns
Peso unitario:	1,690 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

STF80N1K1K6 Hoja de datos (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-5-3 (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.