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SQUN702E-T1_GE3

Name: Vishay SQUN702E-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQUN702E-T1_GE3
Price: 3.56 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

78-SQUN702E-T1_GE3

Fabr. N.º:

SQUN702E-T1_GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V

Hoja de datos:

SQUN702E-T1_GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	3,56 €	3,56 €
	2,61 €	26,10 €
	1,86 €	186,00 €
	1,72 €	860,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	1,60 €	3.200,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	Triple die
Polaridad de transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	3 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V, 200 V
Id: corriente de drenaje continuo:	20 A, 30 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.5 V, 2.5 V
Qg (carga de compuertas):	14 nC, 23 nC, 30.2 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	48 W, 60 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Triple
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	2 ns, 10 ns, 19 ns
Transconductancia delantera: mín.:	16 S, 19 S, 65 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	3 ns, 9 ns, 12 ns
Serie:	SQUN
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel, 1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	15 ns, 22 ns, 43 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7 ns, 8 ns, 10 ns

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REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

N- & P-Channel Pair Thermally Enhanced MOSFETs

Vishay N- and P-Channel Pair Thermally Enhanced MOSFETs combine the N-channel and P-channel MOSFET pairs into one package. These Vishay N- and P-Channel MOSFETs are designed to minimize the ON-state Resistance (R_DS(on)) while maintaining superior switching performance. In addition, combining both the N-channel and P-channel MOSFETs into a single IC saves PCB space and simplifies application design.