SQJ960EP-T1_GE3 MOSFET

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
Vishay Semiconductors MOSFET 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified 77.916En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 8 A 30 mOhms, 30 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
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