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SQJ570EP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ570EP-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ570EP-T1_GE3
Price: 1.51 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SQJ570EP-T1_GE3

Fabr. N.º:

SQJ570EP-T1_GE3

Fabr.:

Vishay / Siliconix

Descripción:

MOSFET N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

Hoja de datos:

SQJ570EP-T1_GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,51 €	1,51 €
	0,955 €	9,55 €
	0,64 €	64,00 €
	0,506 €	253,00 €
	0,462 €	462,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,435 €	1.305,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAK-SO-8-4
Polaridad de transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	9.5 A, 15 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	45 mOhms, 146 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.5 V
Qg (carga de compuertas):	9 nC, 12 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	27 W, 27 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	17 ns, 15 ns
Transconductancia delantera: mín.:	15 S, 7 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	4 ns, 5 ns
Serie:	SQJ
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	20 ns, 30 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8 ns, 12 ns
Peso unitario:	506,600 mg

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Hoja de datos

SQJ570EP-T1_GE3 Hoja de datos

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.