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SQJ116EP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ116EP-T1_GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SQJ116EP-T1_GE3
Price: 1.37 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SQJ116EP-T1_GE3

Fabr. N.º:

SQJ116EP-T1_GE3

Fabr.:

Vishay

Descripción:

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

SQJ116EP-T1_GE3 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,37 €	1,37 €
	0,849 €	8,49 €
	0,553 €	55,30 €
	0,426 €	213,00 €
	0,385 €	385,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,309 €	927,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAK SO-8L
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	37 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	64 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	84 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	88 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia delantera: mín.:	44 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	3 ns
Serie:	SQJ
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1-N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	18 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns

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SQJ116EP-T1_GE3 Hoja de datos (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.