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SQJ110EP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ110EP-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQJ110EP-T1_GE3
Price: 2.12 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SQJ110EP-T1_GE3

Fabr. N.º:

SQJ110EP-T1_GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos:

SQJ110EP-T1_GE3 Hoja de datos

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,12 €	2,12 €
	1,37 €	13,70 €
	0,937 €	93,70 €
	0,746 €	373,00 €
	0,735 €	735,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,723 €	2.169,00 €
	0,697 €	4.182,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SO-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	170 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	6.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.7 V
Qg (carga de compuertas):	75 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	500 W
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia delantera: mín.:	130 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Serie:	SQJ
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	36 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	16 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.