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SISF04DN-T1-GE3

Name: Vishay SISF04DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISF04DN-T1-GE3
Price: 1.74 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SISF04DN-T1-GE3

Fabr. N.º:

SISF04DN-T1-GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F

Hoja de datos:

SISF04DN-T1-GE3 Hoja de datos

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,74 €	1,74 €
	1,11 €	11,10 €
	0,75 €	75,00 €
	0,596 €	298,00 €
	0,561 €	561,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,529 €	1.587,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAK-1212-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	108 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 16 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.3 V
Qg (carga de compuertas):	40 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	69.4 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia delantera: mín.:	115 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	21 ns
Serie:	SISF
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	30 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns
Peso unitario:	1 g

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.