Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

SICW040N120H4-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW040N120H4-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW040N120H4-BP
Price: 10.43 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

833-SICW040N120H4-BP

Fabr. N.º:

SICW040N120H4-BP

Fabr.:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

MOSFET de SiC SiC MOSFET,TO-247-4

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

SICW040N120H4-BP Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Micro Commercial Components (MCC) SICW040N120H4-BP

En existencias: 357

Existencias:: 357 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 36 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Plazo de entrega largo indicado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	10,43 €	10,43 €
	7,30 €	73,00 €
	5,87 €	587,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	62 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	75 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.7 V
Qg (carga de compuertas):	229 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	326 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	11 ns
Transconductancia delantera: mín.:	15 S
Empaquetado:	Bulk
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	50 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	7 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	26 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SICW040N120H4-BP Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de canal N SiC SICW0x de 1200 V

Los MOSFET de canal N SiC SICW0x de 1200 V de Micro Commercial Components (MCC) amplifican el rendimiento en encapsulados TO-247-4, TO-247-4L y TO-247AB. Estos MOSFET ofrecen una alta velocidad de conmutación con una carga de compuertas baja, flexibilidad de diseño y fiabilidad. Los MOSFET de SiC de 1200 V SICW0x incluyen un amplio intervalo de resistencia de encendido típico de 21 mΩ a 120 mΩ y un rendimiento fiable. Estos MOSFET de SiC ofrecen propiedades térmicas superiores y un diodo intrínseco rápido para garantizar un funcionamiento suave y eficiente en condiciones difíciles. Los MOSFET de SiC SICW0x están disponibles en configuraciones de 3 y 4 pines (fuente Kelvin). Entre las aplicaciones típicas se incluyen accionamientos de motores, equipos de soldadura, fuentes de alimentación, sistemas de energía renovable, infraestructuras de carga, sistemas en la nube y suministro de alimentación ininterrumpido (SAI).