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SI8902AEDB-T2-E1

Name: Vishay SI8902AEDB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8902AEDB-T2-E1
Price: 0.33 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

78-SI8902AEDB-T2-E1

Fabr. N.º:

SI8902AEDB-T2-E1

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6

Hoja de datos:

SI8902AEDB-T2-E1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	MicroFoot-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	24 V
Id: corriente de drenaje continuo:	11 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	28 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 12 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	400 mV
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	5.7 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	12 us
Transconductancia delantera: mín.:	15 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	3.5 us
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	25 us
Tiempo de retardo de conexión típico:	1.5 us
Peso unitario:	128,380 mg

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.