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SI8819EDB-T2-E1

Name: Vishay SI8819EDB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8819EDB-T2-E1
Price: 0.69 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SI8819EDB-T2-E1

Fabr. N.º:

SI8819EDB-T2-E1

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

Hoja de datos:

SI8819EDB-T2-E1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	0,697 €	0,70 €
	0,431 €	4,31 €
	0,277 €	27,70 €
	0,23 €	115,00 €
	0,183 €	183,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,134 €	402,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	MicroFoot-4
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	12 V
Id: corriente de drenaje continuo:	2.9 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	80 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	900 mV
Qg (carga de compuertas):	7 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	900 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay Semiconductors
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso unitario:	45,104 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (R_DS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.