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SI7892BDP-T1-GE3

Name: Vishay SI7892BDP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 781-SI7892BDP-T1-GE3
Price: 2.6 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

781-SI7892BDP-T1-GE3

Fabr. N.º:

SI7892BDP-T1-GE3

Fabr.:

Vishay / Siliconix

Descripción:

MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V

Hoja de datos:

SI7892BDP-T1-GE3 Hoja de datos

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,60 €	2,60 €
	1,73 €	17,30 €
	1,24 €	124,00 €
	1,03 €	515,00 €
	0,963 €	963,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,886 €	2.658,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAK-SO-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	15 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	27 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.8 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	20 ns
Transconductancia delantera: mín.:	85 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	13 ns
Serie:	SI7
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	62 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	20 ns
Alias de parte #:	SI7892BDP-GE3
Peso unitario:	506,600 mg

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REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SI78 N-Channel (D-S) MOSFETs

Vishay Semiconductors SI78 N-Channel (D-S) MOSFETs are available in a new low thermal resistance PowerPAK^® package with a low 1.07mm profile. These N-Channel (D-S) MOSFETs are PWM optimized, 100% R_g tested, halogen-free, and RoHS compliant. The SI78 MOSFETs are used in DC/DC converters, primary side switches for DC/DC applications, and synchronous rectifiers.