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SH8JB5TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8JB5TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8JB5TB1
Price: 2.64 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

755-SH8JB5TB1

Fabr. N.º:

SH8JB5TB1

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET -40V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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	1,71 €	17,10 €
	1,19 €	119,00 €
	0,998 €	499,00 €
	0,946 €	946,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,929 €	2.322,50 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOP-8
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	8.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	15.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	51 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	74 ns
Transconductancia delantera: mín.:	12 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	45 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	130 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14 ns
Alias de parte #:	SH8JB5
Peso unitario:	83 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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