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SCT4036DEC11

Name: ROHM Semiconductor SCT4036DEC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4036DEC11
Price: 11.51 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-SCT4036DEC11

Fabr. N.º:

SCT4036DEC11

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET de SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET

Ciclo de vida:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247N-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	750 V
Id: corriente de drenaje continuo:	42 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	47 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 4 V, + 21 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.8 V
Qg (carga de compuertas):	72 nC
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	136 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	11 ns
Transconductancia delantera: mín.:	10 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	Power MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	22 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	SiC Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	28 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de SiC de canal N de 750 V

Los MOSFET de SiC de canal N de 750 V de ROHM Semiconductor pueden aumentar la frecuencia de conmutación, lo que reduce el volumen de condensadores, reactores y otros componentes necesarios. Estos MOSFET de SiC están disponibles en los paquetes TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA y TO-247-4L. Los dispositivos tienen una resistencia estática de drenaje a fuente en estado encendido [R_DS(on)] (típica) de 13 mΩ a 65 mΩ y una corriente continua de drenaje (I_D) y de fuente (I_S) (T_C=25°C) de 22 A a 120 A. Estos MOSFET de SiC de canal N de 750 V de ROHM Semiconductor ofrecen altas tensiones de resistencia, baja resistencia en estado encendido y características de conmutación de alta velocidad, aprovechando los atributos únicos de la tecnología SiC.