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SCT4026DW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT4026DW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4026DW7TL
Price: 14.59 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-SCT4026DW7TL

Fabr. N.º:

SCT4026DW7TL

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC

Hoja de datos:

SCT4026DW7TL Hoja de datos

Modelo ECAD:

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	14,59 €	14,59 €
	11,10 €	111,00 €
	9,56 €	956,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	8,94 €	8.940,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-263-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	750 V
Id: corriente de drenaje continuo:	51 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	26 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 4 V, + 21 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.8 V
Qg (carga de compuertas):	94 nC
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	150 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia delantera: mín.:	16 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	MOSFET's
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	22 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	45 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	9.5 ns
Alias de parte #:	SCT4026DW7

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SCT4026DW7 N-Ch SiC power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4026DW7 N-Ch SiC power MOSFET is a 750V, 26mΩ MOSFET in a TO-263-7L package. The SCT4026DW7 is simple to drive and easy to parallel with fast reverse recovery. The SCT4026DW7 is ideal for solar inverters, induction heating, and motor drives.

MOSFET de SiC de canal N de 750 V

Los MOSFET de SiC de canal N de 750 V de ROHM Semiconductor pueden aumentar la frecuencia de conmutación, lo que reduce el volumen de condensadores, reactores y otros componentes necesarios. Estos MOSFET de SiC están disponibles en los paquetes TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA y TO-247-4L. Los dispositivos tienen una resistencia estática de drenaje a fuente en estado encendido [R_DS(on)] (típica) de 13 mΩ a 65 mΩ y una corriente continua de drenaje (I_D) y de fuente (I_S) (T_C=25°C) de 22 A a 120 A. Estos MOSFET de SiC de canal N de 750 V de ROHM Semiconductor ofrecen altas tensiones de resistencia, baja resistencia en estado encendido y características de conmutación de alta velocidad, aprovechando los atributos únicos de la tecnología SiC.