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SCT4020DLLTRDC

Name: ROHM Semiconductor SCT4020DLLTRDC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4020DLLTRDC
Price: 20.26 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-SCT4020DLLTRDC

Fabr. N.º:

SCT4020DLLTRDC

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET de SiC TOLL 750V 80A SIC

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

SCT4020DLLTRDC Hoja de datos (PDF)

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	20,26 €	20,26 €
	15,26 €	152,60 €
	13,87 €	1.387,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	13,87 €	27.740,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TOLL-9
Polaridad de transistor:	N Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	750 V
Id: corriente de drenaje continuo:	80 A
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.8 V
Qg (carga de compuertas):	123 nC
Temperatura operativa máxima:	+ 175 V
Pd (disipación de potencia):	277 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	14 ns
Transconductancia delantera: mín.:	19 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	26 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	14 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	53 ns

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

MOSFET de SiC de canal N de 750 V

Los MOSFET de SiC de canal N de 750 V de ROHM Semiconductor pueden aumentar la frecuencia de conmutación, lo que reduce el volumen de condensadores, reactores y otros componentes necesarios. Estos MOSFET de SiC están disponibles en los paquetes TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA y TO-247-4L. Los dispositivos tienen una resistencia estática de drenaje a fuente en estado encendido [R_DS(on)] (típica) de 13 mΩ a 65 mΩ y una corriente continua de drenaje (I_D) y de fuente (I_S) (T_C=25°C) de 22 A a 120 A. Estos MOSFET de SiC de canal N de 750 V de ROHM Semiconductor ofrecen altas tensiones de resistencia, baja resistencia en estado encendido y características de conmutación de alta velocidad, aprovechando los atributos únicos de la tecnología SiC.