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SCT025W120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT025W120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT025W120G3AG
Price: 15.54 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-SCT025W120G3AG

Fabr. N.º:

SCT025W120G3AG

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

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Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

SCT025W120G3AG Hoja de datos (PDF)

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	15,54 €	15,54 €
	11,37 €	113,70 €
	9,98 €	998,00 €
	9,51 €	11.412,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	HiP247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	56 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	37 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	73 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 200 C
Pd (disipación de potencia):	388 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	Not Available
País de origen:	IT
Tiempo de caída:	18.4 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	6.5 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	29.5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14.4 ns

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PCN

Product Change Notification 2025-5-3 (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia de carburo de silicio para automoción

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio para automoción de STMicroelectronics están desarrollados mediante la tecnología MOSFET SiC de 2.ª y 3.ª generación avanzada e innovadora de ST. Los dispositivos presentan una baja resistencia de activación por unidad de superficie y un rendimiento de conmutación excelente. Los MOSFET presentan una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta (TJ = 200°C) y un diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto.

MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120 de STMicroelectronics se fabrican con materiales de banda prohibida amplia avanzados e innovadores. Esto da lugar a una resistencia de encendido por área de unidad sin parangón y un muy buen rendimiento de conmutación prácticamente independiente de la temperatura. Las destacadas propiedades térmicas del material SiC y el paquete HiP247™patentado permiten a los diseñadores utilizar un perfil habitual en el sector con capacidades térmicas mejoradas significativamente. Estas características hacen que el dispositivo se adapte perfectamente a aplicaciones de densidad de alta eficiencia y alta potencia.
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