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RQ3L070BGTB1

Name: ROHM Semiconductor RQ3L070BGTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3L070BGTB1
Price: 0.72 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RQ3L070BGTB1

Fabr. N.º:

RQ3L070BGTB1

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET HSMT8 N-CH 60V 20A

Hoja de datos:

RQ3L070BGTB1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	0,722 €	0,72 €
	0,468 €	4,68 €
	0,384 €	38,40 €
	0,367 €	183,50 €
	0,353 €	353,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,341 €	1.023,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HSMT-8G
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	20 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	24.7 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	7.6 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	15 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	4.4 ns
Transconductancia delantera: mín.:	2.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	5.6 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	21 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8.7 ns

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.