RQ3G270BJFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RQ3G270BJFRATCB
RQ3G270BJFRATCB

Fabr.:

Descripción:
MOSFET Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 3.774

Existencias:
3.774
Puede enviarse inmediatamente
Pedido:
3.000
Plazo de producción de fábrica:
16
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
1,68 € 1,68 €
1,08 € 10,80 €
0,722 € 72,20 €
0,573 € 286,50 €
0,525 € 525,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
0,499 € 1.497,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HSMT-8
P-Channel
1 Channel
40 V
27 A
22 mOhms
- 20 V, 5 V
2.5 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: JP
Tiempo de caída: 37 ns
Transconductancia delantera: mín.: 11 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 15 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 126 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 10 ns
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MOSFET de potencia RQ3xFRATCB

Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB de ROHM Semiconductor  tienen grado automotriz y calificación AEC-Q101. Estos MOSFET presentan un rango de tensión de drenaje a fuente de -40 V a 100 V, 8 terminales, disipación de potencia de hasta 69 W y una corriente de drenaje continua de ±12 A   a ±27 A. Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB están disponibles en canal N y canal P. Estos MOSFET de potencia vienen en un encapsulado HSMT8AG pequeño de 3,3 mm x 3,3 mm. Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB son ideales para sistemas avanzados de asistencia al conductor (ADAS), infoentretenimiento, iluminación y carrocería.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.