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RH7G04BBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04BBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04BBJFRATCB
Price: 1.92 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RH7G04BBJFRATCB

Fabr. N.º:

RH7G04BBJFRATCB

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET DFN3333 P-CH 40V 40A

Ciclo de vida:

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	1,92 €	1,92 €
	1,23 €	12,30 €
	0,834 €	83,40 €
	0,666 €	333,00 €
	0,63 €	630,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,599 €	1.797,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-8
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	40 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	11.9 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 5 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	25 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	75 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	97 ns
Transconductancia delantera: mín.:	14 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	24 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	175 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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