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RFN4RSM2STL1

Name: ROHM Semiconductor RFN4RSM2STL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RFN4RSM2STL1
Price: 1.29 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RFN4RSM2STL1

Fabr. N.º:

RFN4RSM2STL1

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Rectificadores 200V 4A 13ns, TO-277A, Ultra Fast Recovery Diode

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,29 €	1,29 €
	0,808 €	8,08 €
	0,538 €	53,80 €
	0,421 €	210,50 €
	0,384 €	384,00 €
	0,362 €	724,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 4000)
	0,343 €	1.372,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Rectificadores
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-277A-3
Vr - Tensión inversa:	200 V
If - Corriente delantera:	4 A
Tipo:	Ultra Fast Recovery Diode
Configuración:	Single
Vf - Tensión delantera:	930 mV
Corriente de sobretensión máx.:	80 A
Ir - Corriente inversa:	1 uA
Tiempo de recuperación:	36 ns
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Producto:	Rectifiers
Tipo de producto:	Rectifiers
Cantidad del paquete de fábrica:	4000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers

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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Diodos de recuperación ultrarrápida RFNxRSM2S

Los diodos de recuperación ultrarrápida de ROHM Semiconductor RFNxRSM2S son diodos planares epitaxiales de silicio con baja tensión directa y baja pérdida de conmutación. Estos diodos ultrarrápidos disponen de una tensión inversa de pico de 200 V y un rango de temperatura de almacenamiento de -55°C a 175°C. Los diodos de recuperación ultrarrápida RFNxRSM2S ofrecen una alta capacidad de sobrecarga de corriente. Los diodos vienen en un encapsulado TO-277A. Los diodos de recuperación ultrarrápida RFNxRSM2S cumplen la normativa RoHS y son ideales para aplicaciones generales de rectificación.