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RD3E08BBJHRBTL

Name: ROHM Semiconductor RD3E08BBJHRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3E08BBJHRBTL
Price: 2.92 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RD3E08BBJHRBTL

Fabr. N.º:

RD3E08BBJHRBTL

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET TO252 P-CH 30V 80A

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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	2,92 €	2,92 €
	1,91 €	19,10 €
	1,33 €	133,00 €
	1,14 €	570,00 €
	1,10 €	1.100,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	1,08 €	2.700,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-252-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	80 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3.7 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 5 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	150 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	142 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	180 ns
Transconductancia delantera: mín.:	20 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	27 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	220 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	19 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Automotive 40A & 80A Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Automotive 40A and 80A Power MOSFETs are N-channel and P-channel devices. These AEC-Q101 qualified MOSFETs feature low on-resistance, ±80A/±160A pulsed drain current, and up to 142W power dissipation. The 40A and 80A power MOSFETs operate from -55°C to 175°C temperature range and are 100% avalanche tested. These power MOSFETs are ideal for ADAS, automotive, and lighting applications.