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R8002KND3TL1

Name: ROHM Semiconductor R8002KND3TL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8002KND3TL1
Price: 1.81 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-R8002KND3TL1

Fabr. N.º:

R8002KND3TL1

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET TO252 800V 1.6A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

R8002KND3TL1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,81 €	1,81 €
	1,14 €	11,40 €
	0,784 €	78,40 €
	0,697 €	348,50 €
	0,583 €	583,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,555 €	1.387,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-252-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	800 V
Id: corriente de drenaje continuo:	1.6 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.2 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	7.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	30 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	100 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	16 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	34 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns
Alias de parte #:	R8002KND3

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

R8002KN N-Channel 800V 1.6A Power MOSFETs

ROHM Semiconductor R8002KN N-Channel 800V 1.6A Power MOSFETs are low on-resistance devices with fast switching. The R8002KN features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs have parallel use that is easy to use.