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QH8JE5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8JE5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8JE5TCR
Price: 1.17 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-QH8JE5TCR

Fabr. N.º:

QH8JE5TCR

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,17 €	1,17 €
	0,738 €	7,38 €
	0,489 €	48,90 €
	0,382 €	191,00 €
	0,347 €	347,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,304 €	912,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TSMT-8
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	2 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	270 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	19.7 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	48 ns
Transconductancia delantera: mín.:	3.2 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	7 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	105 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7.3 ns

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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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