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PJQ5526-AU_R2_002A1

Name: Panjit PJQ5526-AU_R2_002A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJQ5526AUR2002A1
Price: 1.3 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

241-PJQ5526AUR2002A1

Fabr. N.º:

PJQ5526-AU_R2_002A1

Fabr.:

Panjit

Descripción:

MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

PJQ5526-AU_R2_002A1 Hoja de datos (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-5060-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	73 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	15 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	43 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Panjit
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	23 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	24 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns
Alias de parte #:	PJQ5526
Peso unitario:	80 mg

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with logic level gate drive in a DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. These MOSFETs feature low on−resistance (RDS_(on)), excellent Figure Of Merit (FOM), and ±20 gate-source voltage. The PJQx 30V N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified and are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 standards. These MOSFETs are ideal for automotive applications.