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NVMYS3D3N06CLTWG

Name: onsemi NVMYS3D3N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS3D3N06CLTWG
Price: 2 EUR
Availability: Discontinued

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Mouser REF:

863-NVMYS3D3N06CLTWG

Fabr. N.º:

NVMYS3D3N06CLTWG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

Ciclo de vida:

NRND:

No se recomienda para nuevos diseños.

Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	LFPAK-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	133 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	40.7 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	100 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	96 ns
Transconductancia delantera: mín.:	130 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	58 ns
Serie:	NVMYS3D3N06CL
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	66 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns
Peso unitario:	75 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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