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NVMFWS0D6N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS0D6N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS0D6N04XMT1G
Price: 3.39 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-VMFWS0D6N04XMT1G

Fabr. N.º:

NVMFWS0D6N04XMT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	3,39 €	3,39 €
	2,23 €	22,30 €
	1,57 €	157,00 €
	1,40 €	700,00 €
	1,35 €	1.350,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	1,31 €	1.965,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFNW-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	380 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	570 uOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	87 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	150 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	17 ns
Transconductancia delantera: mín.:	175 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	15.7 ns
Serie:	NVMFWS0D6N04XM
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	61.5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	32.8 ns

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Atributos seleccionados: 0

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NVMFWS0D6N04XMT1G Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.