Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

NTTFD9D0N06HLTWG

Name: onsemi NTTFD9D0N06HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFD9D0N06HLTWG
Price: 2.42 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

863-NTTFD9D0N06HLTWG

Fabr. N.º:

NTTFD9D0N06HLTWG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL

Hoja de datos:

NTTFD9D0N06HLTWG Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre onsemi NTTFD9D0N06HLTWG

En existencias: 1.617

Existencias:: 1.617 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 43 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Plazo de entrega largo indicado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,42 €	2,42 €
	1,57 €	15,70 €
	1,08 €	108,00 €
	0,886 €	443,00 €
	0,877 €	877,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,836 €	2.508,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	WDFN-12
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	38 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	9 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	13.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	26 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NTTFD9D0N06HL
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NTTFD9D0N06HLTWG Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

NTTFD4D0N04HL & NTTFD9D0N06HL N-Channel MOSFETs

onsemi NTTFD4D0N04HL and NTTFD9D0N06HL N-Channel MOSFETs are POWERTRENCH® power clip symmetric dual-channel MOSFETs in a WQFN12 package. These devices include two specialized N-Channel MOSFETs in a dual package. The switch node is internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q2) and synchronous MOSFET (Q1) are designed to provide optimal power efficiency. onsemi NTTFD4D0N04HL and NTTFD9D0N06HL N-Channel MOSFETs offer low R_DS(on), low Q_G and capacitance, and low conduction/driver losses. Typical applications include DC-DC converters, general-purpose point of load, single-phase motor drives, computing, and communications