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NTMFS5H409NLT1G

Name: onsemi NTMFS5H409NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS5H409NLT1G
Price: 1.82 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTMFS5H409NLT1G

Fabr. N.º:

NTMFS5H409NLT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T8 40V LOW COSS

Hoja de datos:

NTMFS5H409NLT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,82 €	1,82 €
	1,24 €	12,40 €
	1,04 €	104,00 €
	1,01 €	505,00 €
	0,98 €	980,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,98 €	1.470,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

NTMFS5H409NLT3G

Embalaje:

Reel, Cut Tape

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

1,82 €

Min:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SO-8FL-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	270 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.6 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.2 V
Qg (carga de compuertas):	89 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	140 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	14 ns
Transconductancia delantera: mín.:	300 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	130 ns
Serie:	NTMFS5H
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	40 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17 ns
Peso unitario:	750 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

NTMFS5H409NLT1G Hoja de datos

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NTMFS5 Power MOSFETs

onsemi NTMFS5 Power MOSFETs are 40V single N−channel Power MOSFETs featuring the SO-8FL logic level. The NTMFS5's low on-resistance minimizes conduction losses. The MOSFET's low gate charge and capacitance reduce driver losses. Available in a compact 5x6mm footprint, the NTMFS5 Power MOSFETs are ideal for Netcom, telecom, servers, AC adapters, and handheld power tools.

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).