Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

NTMFS4D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFS4D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS4D5N08XT1G
Price: 0.8 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

863-NTMFS4D5N08XT1G

Fabr. N.º:

NTMFS4D5N08XT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

NTMFS4D5N08XT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre onsemi NTMFS4D5N08XT1G

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto como pedido pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 23 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Plazo de entrega largo indicado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	0,808 €	0,81 €
	0,523 €	5,23 €
	0,43 €	43,00 €
	0,412 €	206,00 €
	0,39 €	390,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,384 €	576,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	94 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.6 V
Qg (carga de compuertas):	15 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	82 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	30 ns
Transconductancia delantera: mín.:	61 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	24 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	16 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NTMFS4D5N08XT1G Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

T10 Low/Medium Voltage MOSFETs

onsemi T10 Low/Medium Voltage MOSFETs are single N-channel power MOSFETs in 40V and 80V categories with improved performance, enhanced system efficiency, and high power density. These power MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. The T10 low/medium voltage MOSFETs provide low Q_RRand a soft recovery body diode. These MOSFETs comply with the RoHS and are Pb-free and Halogen-free/BFR-free. Typical applications include Synchronous Rectification (SR) in DC-DC and AC-DC converters, the primary switch in an isolated DC-DC converter, battery protection, and motor drives.