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NTMFS4D2N10MDT1G

Name: onsemi NTMFS4D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS4D2N10MDT1G
Price: 2.77 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

863-NTMFS4D2N10MDT1G

Fabr. N.º:

NTMFS4D2N10MDT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

Hoja de datos:

NTMFS4D2N10MDT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,77 €	2,77 €
	1,81 €	18,10 €
	1,42 €	142,00 €
	1,13 €	565,00 €
	0,998 €	998,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,998 €	1.497,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SO-8FL-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	113 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	25 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	132 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NTMFS4D2N10MD
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

NTMFS4D2N10MDT1G Hoja de datos

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are N-channel MOSFETs that minimize on-state resistance and maintain superior switching performance with best-in-class soft body diode. These MOSFET offers lower Q_rr compared to other MOSFETs. onsemi Shielded Gate PowerTrench MOSFETs lower switching noise/electromagnetic interference (EMI). These MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and capacitance to minimize driver losses. The Shielded Gate PowerTrench MOSFETs come in a small PQFN8 package with 5mm x 6mm dimensions for compact designs. Typical applications include synchronous rectification (SR), AC-DC and DC-DC power supplies, AC-DC adapters (USB Power Delivery) SR, and load switches.