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NTH4L022N120M3S

Name: onsemi NTH4L022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L022N120M3S
Price: 16.02 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTH4L022N120M3S

Fabr. N.º:

NTH4L022N120M3S

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1

Hoja de datos:

NTH4L022N120M3S Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	68 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	30 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.4 V
Qg (carga de compuertas):	151 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	352 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia delantera: mín.:	34 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	24 ns
Serie:	NTH4L022N120M3S
Cantidad del paquete de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	48 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	18 ns

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Hoja de datos

NTH4L022N120M3S Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTH4L022N120M3S

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTH4L022N120M3S de onsemi forman una familia de MOSFET SiC planos M3S de 1200 V. El NTH4L022N120M3S de onsemi está optimizado para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología planar funciona de forma fiable con accionamientos de tensión de compuerta negativa y reduce los picos en la compuerta. Estos MOSFET ofrecen un rendimiento óptimo cuando se accionan con un controlador de compuerta de 18 V, pero también funcionan correctamente con un controlador de compuerta de 15 V.

M3S 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi M3S 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are optimized for fast switching applications. The planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn-off spikes on the gate. The onsemi M3S 1200V MOSFETs provide optimum performance when driven with an 18V gate drive but also works well with a 15V gate drive. The M3S offers low switching losses and is housed in a TO247-4LD package for low common source inductance.