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NTH4L016N065M3S

Name: onsemi NTH4L016N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L016N065M3S
Price: 13.85 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTH4L016N065M3S

Fabr. N.º:

NTH4L016N065M3S

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	71 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	23.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, 22.6 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	100 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	300 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	45 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	20 ns
Serie:	NTH4L016N065M3S
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	45 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	6.5 ns

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NTH4L016N065M3S Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs use a technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include the highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. The onsemi TOLL package offers improved thermal performance and excellent switching performance thanks to Kelvin Source configuration and lower parasitic source inductance. TOLL offers Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1).