Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

NTBL075N065SC1

Name: onsemi NTBL075N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL075N065SC1
Price: 7.1 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

863-NTBL075N065SC1

Fabr. N.º:

NTBL075N065SC1

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC M2 650V SIC MOSFET 75MOHM

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

NTBL075N065SC1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre onsemi NTBL075N065SC1

En existencias: 1.969

Existencias:: 1.969 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Plazo de entrega largo indicado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	7,10 €	7,10 €
	4,86 €	48,60 €
	3,78 €	378,00 €
	3,66 €	3.660,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	3,53 €	7.060,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SO-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	37 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	85 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, + 22.6 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.3 V
Qg (carga de compuertas):	59 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 170 C
Pd (disipación de potencia):	139 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	8 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	12 ns
Serie:	NTBL075N065SC1
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	20 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	9 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NTBL075N065SC1 Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs use a technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include the highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. The onsemi TOLL package offers improved thermal performance and excellent switching performance thanks to Kelvin Source configuration and lower parasitic source inductance. TOLL offers Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1).