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NSS1C301CTWG

Name: onsemi NSS1C301CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS1C301CTWG
Price: 1.28 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NSS1C301CTWG

Fabr. N.º:

NSS1C301CTWG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Transistores bipolares - BJT 100 V, 3.0 A Low VCE(sat) NPN Bipolar Junction Transistor 100 V, 3 A

Hoja de datos:

NSS1C301CTWG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	0,421 €	210,50 €
	0,384 €	384,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,336 €	1.008,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - BJT
RoHS:
Empaquetado / Estuche:	LFPAK-4
Serie:	NSS1C301CT
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors

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Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

e2PowerEdge Low VCE(sat) Transistors

onsemi e2PowerEdge Low V_CE(sat) Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra-low saturation voltage (V_CE(sat)) and high current gain capability. These are designed for low-voltage, high-speed switching applications where affordable, efficient energy control is essential. Typical applications are DC−DC converters and power management in portable and battery-powered products such as cellular and cordless phones, PDAs, computers, printers, digital cameras, and MP3 players. Other applications are low-voltage motor controls in mass storage products such as disc and tape drives. These can be used for airbag deployment and instrument clusters in the automotive industry. The high current gain allows onsemi e2PowerEdge devices to be driven directly from PMU’s control outputs, and the linear gain (Beta) makes them ideal components in analog amplifiers.