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NSF040120L3A0Q

Name: Nexperia NSF040120L3A0Q
Brand: Nexperia
SKU: 771-NSF040120L3A0
Price: 13.05 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

771-NSF040120L3A0

Fabr. N.º:

NSF040120L3A0Q

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

MOSFET de SiC TO247 1.2KV 66A N-CH SIC

Hoja de datos:

NSF040120L3A0Q Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	13,05 €	13,05 €
	10,29 €	102,90 €
	6,28 €	3.202,80 €
	5,99 €	6.109,80 €
2.520	Cotización

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	66 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	60 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.9 V
Qg (carga de compuertas):	84 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	319 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	9 ns
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	20 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	22 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	57 ns
Alias de parte #:	934665927127

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

NSF040120L3A0Q Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

1200V SiC MOSFETs

Nexperia 1200V SiC MOSFETs are housed in 3-pin TO-247-3 and 4-pin TO-247-4 for through-hole PCB mounting. The Nexperia MOSFETs are ideal for high-power and high-voltage industrial applications thanks to excellent temperature stability and fast switching speed. These applications include E-vehicle charging infrastructures, photovoltaic inverters, and motor drives.