Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

MRFE6VP5600HR5

Name: NXP MRFE6VP5600HR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRFE6VP5600HR5
Price: 498.81 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

841-MRFE6VP5600HR5

Fabr. N.º:

MRFE6VP5600HR5

Fabr.:

NXP Semiconductors

Descripción:

Transistores RF MOSFET VHV6 600W 50V NI1230H

Hoja de datos:

MRFE6VP5600HR5 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre NXP Semiconductors MRFE6VP5600HR5

En existencias: 50

Existencias:: 50 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 16 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 50)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	498,81 €	498,81 €
	410,27 €	4.102,70 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 50)
	410,27 €	20.513,50 €
100	Cotización

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Transistores RF MOSFET
RoHS:
Polaridad de transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Id: corriente de drenaje continuo:	2 A
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	130 V
Frecuencia de operación:	1.8 MHz to 600 MHz
Ganancia:	25 dB
Energía de salida:	600 W
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	NI-1230
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	NXP Semiconductors
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Pd (disipación de potencia):	1.667 kW
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MRFE6VP5600H
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	+ 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.7 V
Alias de parte #:	935310538178
Peso unitario:	13,155 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

MRFE6VP5600HR5 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409190
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRFE6VPx Lateral N-Ch Broadband RF Power MOSFETs

NXP's MRFE6VPx Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land-mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz. They can be used single-ended or in a push-pull configuration and are suitable for linear applications with appropriate biasing. These RF MOSFETs are capable of handling a load mismatch of 65:1 V_SWR, a 50V_DC, 230MHz at all phase angles.